8月15日上午，德国德累斯顿工业大学研究员、德国SemiMod GmbH公司创始人靳晓笛应邀为我院师生开展《锗硅异质结晶体管的低温建模》为主题的学术报告。

靳晓笛博士介绍了紧凑型HBT器件HICUM/L2模型的背景和研究现状，详细解析了通向低温紧凑大信号SiGe HBT模型的道路及低温电路等关键问题，并分享了自己的研究成果和创新思路。通过具体案例和实验数据的展示，他生动地阐述了该模型的理论基础和实践应用。与现有解决方案相比，该模型能够准确模拟器件静态和大信号动态特性，并根据大信号模型公式自动生成精确的小信号模型参数，此外该模型可以覆盖从4K到300K的温度范围器件交直流特性。靳晓笛博士还对该模型的未来发展方向与研究局限做了总结介绍。报告结束后，他和与会教师、同学就相关问题展开了深入的交流和讨论。